Intel欲重回記憶體市場與Softbank共同開發次世代技術

Intel欲重回記憶體市場與Softbank共同開發次世代技術

2026年2月4日星期三上午11:39:35 [台北標準時間]

Lucky

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記憶體市場需求正值前所未有的大爆發，許多廠商都希望能夠藉機入場分一杯羹，其中就包含 Intel，宣布與 Softbank 達成合作，透過合資子公司，開發次世代「ZAM」記憶體，創造大容量、高頻寬、低功耗的新產品。

Softbank 在新聞稿中確認，與 Intel 達成合作，共同成立「SAIMEMORY」子公司，用以研發新一代記憶體產品以供 AI 運算市場需求。

SAIMEMORY 將研發全新的「Z-Angle Memory」（ZAM）記憶體，有別於傳統記憶體每一層之間是垂直 TSV 矽穿孔連接，ZAM 使用 Intel Next Generation DRAM Bonding (NGDB) 記憶體連接技術，將每一層的銜接方式改為 Z 字型。

由於連接導線從直線變斜線，與電晶體單元的接觸面積大增，大幅減少 TSV 線路所需佔用的空間，理論上可以創造更好的傳輸效率，放入更多電晶體單元，連帶提升整體容量、降低整體功耗與發熱，宣稱可以比現行的 HBM 記憶體減少 40 - 50 % 電力。

此外，ZAM 記憶體單顆晶片容量可上看 512 GB，對比下一代 HBM 4 單晶片僅 36 / 48 GB，對於 AI 運算這種記憶體怪獸而言，有著更高單位空間的效率優勢。

Softbank 預計投入 30 億日圓，相當約新台幣 6 億元進入初期開發，Intel 則負責提供技術授權，預計在 2027 年完成原型產品的試產，2029 進入量產。